文献
J-GLOBAL ID:201402255815255178
整理番号:13A1912956
ナノスケールトランジスタのランダム閾値電圧変動に及ぼす短チャネル効果の影響
Impacts of short-channel effects on the random threshold voltage variation in nanoscale transistors
著者 (4件):
Wang Runsheng
(Inst. of Microelectronics, Peking Univ., Beijing)
,
Yu Tao
(Inst. of Microelectronics, Peking Univ., Beijing)
,
Huang Ru
(Inst. of Microelectronics, Peking Univ., Beijing)
,
Wang Yangyuan
(Inst. of Microelectronics, Peking Univ., Beijing)
資料名:
Science China. Information Sciences
(Science China. Information Sciences)
巻:
56
号:
6
ページ:
062403-1-062403-7
発行年:
2013年
JST資料番号:
C2579A
ISSN:
1674-733X
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
中国 (CHN)
言語:
英語 (EN)