文献
J-GLOBAL ID:201402256106597460
整理番号:14A0465168
パルスレーザ蒸着により作成したヘテロエピタキシャルβ-Ga2O3薄膜上の銅Schottky接触の平均および複合障壁高さの決定
Determination of the mean and the homogeneous barrier height of Cu Schottky contacts on heteroepitaxial β-Ga2O3 thin films grown by pulsed laser deposition
著者 (7件):
SPLITH Daniel
(Univ. Leipzig, Leipzig, DEU)
,
MUELLER Stefan
(Univ. Leipzig, Leipzig, DEU)
,
SCHMIDT Florian
(Univ. Leipzig, Leipzig, DEU)
,
VON WENCKSTERN Holger
(Univ. Leipzig, Leipzig, DEU)
,
VAN RENSBURG Johan Janse
(Univ. Pretoria, Pretoria, ZAF)
,
MEYER Walter E.
(Univ. Pretoria, Pretoria, ZAF)
,
GRUNDMANN Marius
(Univ. Leipzig, Leipzig, DEU)
資料名:
Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science
(Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻:
211
号:
1
ページ:
40-47
発行年:
2014年01月
JST資料番号:
D0774A
ISSN:
1862-6300
CODEN:
PSSABA
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)