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文献
J-GLOBAL ID：201402258303603068
整理番号：14A1333051
16kV級超高耐圧SiC nチャネル型IE-IGBTの開発
Dynamic Characteristics of Large Current Capacity Module using 16-kV Ultrahigh Voltage SiC Flip-Type n-channel IE-IGBT
水島智教
(産業技術総合研)
,
竹中研介
(産業技術総合研)
,
藤澤広幸
(産業技術総合研)
,
加藤智久
(産業技術総合研)
,
原田信介
(産業技術総合研)
,
田中保宣
(産業技術総合研)
,
岡本光央
(産業技術総合研)
,
染谷満
(産業技術総合研)
,
岡本大
(産業技術総合研)
,
出口忠義
(産業技術総合研)
,
吉川満
(産業技術総合研)
,
田寺克己
(産業技術総合研)
,
宮島將昭
(産業技術総合研)
,
木村浩
(産業技術総合研)
,
米澤喜幸
(産業技術総合研)
,
福田憲司
(産業技術総合研)
,
奥村元
(産業技術総合研)
,
熊谷直樹
(富士電機)
,
松永慎一郎
(富士電機)
,
武井学
(富士電機)
,
大月章宏
(富士電機)
,
田中篤嗣
(関西電力)
,
緒方修二
(関西電力)
,
中山浩二
(関西電力)
,
林利彦
(関西電力)
,
浅野勝則
(関西電力)
,
木本恒暢
(京大)
資料名：
電気学会電子デバイス研究会資料
(電気学会研究会資料)
巻： EDD-14 号： 50-65 ページ： 7-11 発行年： 2014年10月30日
JST資料番号： Z0910A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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