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文献
J-GLOBAL ID：201402262820532402
整理番号：14A1103512
シリコンのパルスYAGレーザ融解による深い準位不純物によるハイパードーピング
Hyperdoping of silicon with deep-level impurities by pulsed YAG laser melting
UMEZU Ikurou
(Konan Univ., Dep. of Physics, 658-8501, Kobe, JPN)
,
NAITO Muneyuki
(Konan Univ., Dep. of Chemistry, 658-8501, Kobe, JPN)
,
KAWABE Daisuke
(Konan Univ., Dep. of Physics, 658-8501, Kobe, JPN)
,
KOSHIBA Yusuke
(Konan Univ., Dep. of Physics, 658-8501, Kobe, JPN)
,
NAGAO Katsuki
(Konan Univ., Dep. of Physics, 658-8501, Kobe, JPN)
,
SUGIMURA Akira
(Konan Univ., Dep. of Physics, 658-8501, Kobe, JPN)
,
AOKI Tamao
(Konan Univ., Dep. of Physics, 658-8501, Kobe, JPN)
,
INADA Mitsuru
(Kansai Univ., Dep. of Pure and Applied Physics, 564-8680, Suita, JPN)
,
SAITOH Tadashi
(Kansai Univ., Dep. of Pure and Applied Physics, 564-8680, Suita, JPN)
,
KOHNO Atsushi
(Fukuoka Univ., Dep. of Applied Physics, 814-0180, Fukuoka, JPN)
資料名：
Applied Physics. A. Materials Science & Processing
(Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 117 号： 1 ページ： 155-159 発行年： 2014年10月
JST資料番号： D0256C ISSN： 0947-8396 CODEN： APHYCC 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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