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文献
J-GLOBAL ID：201402263670170678
整理番号：14A0511988
Siイオン注入チャネルとコンタクトによるβ-Ga2O3(010)基板上のデプレッションモードGa2O3MOSFET
Depletion-Mode Ga2O3 MOSFETs on β-Ga2O3 (010) Substrates with Si-Ion-Implanted Channel and Contacts
HIGASHIWAKI Masataka
(National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN)
,
SASAKI Kohei
(Tamura Corp., Saitama, JPN)
,
SASAKI Kohei
(National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN)
,
WONG Man Hoi
(National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN)
,
KAMIMURA Takafumi
(National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN)
,
KRISHNAMURTHY Daivasigamani
(National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN)
,
KURAMATA Akito
(Tamura Corp., Saitama, JPN)
,
MASUI Takekazu
(Koha Co., Ltd., Tokyo, JPN)
,
YAMAKOSHI Shigenobu
(Tamura Corp., Saitama, JPN)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2013 ページ： 707-710 発行年： 2013年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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