文献
J-GLOBAL ID:201402264003656712
整理番号:14A0829277
バルクのマイクロマシニング技術を用いたアモルファスIn-Ga-Zn-O薄膜トランジスタの製作
Fabrication of suspended amorphous indium-gallium-zinc oxide thin-film transistors using bulk micromachining techniques
著者 (6件):
IWAMATSU Shinnosuke
(Yamagata Res. Inst. Technol., Yamagata, JPN)
,
TAKECHI Kazushige
(NLT Technol., Ltd., Kawasaki, JPN)
,
YAHAGI Toru
(Yamagata Res. Inst. Technol., Yamagata, JPN)
,
ABE Yutaka
(Yamagata Res. Inst. Technol., Yamagata, JPN)
,
TANABE Hiroshi
(NLT Technol., Ltd., Kawasaki, JPN)
,
KOBAYASHI Seiya
(Yamagata Res. Inst. Technol., Yamagata, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
53
号:
6
ページ:
066503.1-066503.7
発行年:
2014年06月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)