文献
J-GLOBAL ID:201402264911512008
整理番号:14A0888207
微小重力環境下での溶液移動帯域法によるSiGe結晶育成の数値シミュレーション
Numerical simulations of SiGe crystal growth by the traveling liquidus-zone method in a microgravity environment
著者 (8件):
ABE K.
(Tohoku Univ., 6-6-07 Aramaki, Aoba-ku, Sendai 980-8579, JPN)
,
SUMIOKA S.
(Tohoku Univ., 6-6-07 Aramaki, Aoba-ku, Sendai 980-8579, JPN)
,
SUGIOKA K.-i.
(Tohoku Univ., 6-6-07 Aramaki, Aoba-ku, Sendai 980-8579, JPN)
,
KUBO M.
(Tohoku Univ., 6-6-07 Aramaki, Aoba-ku, Sendai 980-8579, JPN)
,
TSUKADA T.
(Tohoku Univ., 6-6-07 Aramaki, Aoba-ku, Sendai 980-8579, JPN)
,
KINOSHITA K.
(Japan Aerospace Exploration Agency, 2-1-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-8505, JPN)
,
ARAI Y.
(Japan Aerospace Exploration Agency, 2-1-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-8505, JPN)
,
INATOMI Y.
(Japan Aerospace Exploration Agency, 2-1-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-8505, JPN)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
402
ページ:
71-77
発行年:
2014年09月15日
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)