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文献
J-GLOBAL ID：201402266178858884
整理番号：13A1951670
プラズマ支援された分子ビームエピタキシャル法による自立した(1100)GaN基板上へ成長した均一なAlGaN/GaN超格子
Homogeneous AlGaN/GaN superlattices grown on free-standing (1100) GaN substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy
SHAO Jiayi
(Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana 47907, USA)
,
ZAKHAROV Dmitri N.
(Center for Functional Nanomaterials, Brookhaven National Lab., Upton, New York 11973, USA)
,
EDMUNDS Colin
(Physics Dep., Purdue Univ., West Lafayette, Indiana 47907, USA)
,
MALIS Oana
(Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana 47907, USA)
,
MANFRA Michael J.
(Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana 47907, USA)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 103 号： 23 ページ： 232103-232103-4 発行年： 2013年12月02日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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