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J-GLOBAL ID：201402266443324552 整理番号：14A0825342

単結晶シリコンにおける電気化学誘引および配向依存亀裂成長

Electrochemically induced and orientation dependent crack propagation in single crystal silicon

著者 (12件)：

KANG Chan Soon

(Dep. of Material Sci. and Engineering, Seoul National Univ., Seoul, KOR)

SON Seoung-bum

(Dep. of Material Sci. and Engineering, Seoul National Univ., Seoul, KOR)

KIM Ji Woo

(Dep. of Mechanical Engineering, Univ. of Colorado at Boulder, Boulder, CO 80309, USA)

KIM Seul Cham

(Dep. of Material Sci. and Engineering, Seoul National Univ., Seoul, KOR)

CHOI Yong Seok

(Dep. of Material Sci. and Engineering, Seoul National Univ., Seoul, KOR)

HEO Jae Young

(Dep. of Material Sci. and Engineering, Seoul National Univ., Seoul, KOR)

SUH Soon-sung

(SAMSUNG SDI CO. LTD, Giheung-gu, Yongin-si, Gyeonggi-do 446-577, KOR)

KIM Young-ugk

(SAMSUNG SDI CO. LTD, Giheung-gu, Yongin-si, Gyeonggi-do 446-577, KOR)

CHU Yeon Yi

(MK Electron, 316-2 Geumeo-ri, Pogok-myeon, Yongin-si, Gyeong gi-do 449-810, KOR)

CHO Jong Soo

(MK Electron, 316-2 Geumeo-ri, Pogok-myeon, Yongin-si, Gyeong gi-do 449-810, KOR)

LEE Se-hee

(Dep. of Mechanical Engineering, Univ. of Colorado at Boulder, Boulder, CO 80309, USA)

OH Kyu Hwan

(Dep. of Material Sci. and Engineering, Seoul National Univ., Seoul, KOR)

資料名：

Journal of Power Sources (Journal of Power Sources)

巻： 267 ページ： 739-743 発行年： 2014年12月01日
JST資料番号： B0703B ISSN： 0378-7753 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

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