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文献
J-GLOBAL ID：201402267044356412
整理番号：14A0007999
拡張波長InxGa1-xAs/InP光検出器における深い準位トラップ誘起暗電流
Deep-level traps induced dark currents in extended wavelength InxGa1-xAs/InP photodetector
JI Xiaoli
(School of Electronics Sci. and Engineering, Nanjing Univ., Nanjing 210093, CHN)
,
LIU Baiqing
(School of Electronics Sci. and Engineering, Nanjing Univ., Nanjing 210093, CHN)
,
XU Yue
(School of Electronics Sci. and Engineering, Nanjing Univ., Nanjing 210093, CHN)
,
TANG Hengjing
(State Key Lab. of Transducer Technol., Shanghai Inst. of Technical Physics, Shanghai 200083, CHN)
,
LI Xue
(State Key Lab. of Transducer Technol., Shanghai Inst. of Technical Physics, Shanghai 200083, CHN)
,
GONG Haimei
(State Key Lab. of Transducer Technol., Shanghai Inst. of Technical Physics, Shanghai 200083, CHN)
,
SHEN Bo
(Physics Dep., Peking Univ., Beijing 100871, CHN)
,
YANG Xuelin
(Physics Dep., Peking Univ., Beijing 100871, CHN)
,
HAN Ping
(School of Electronics Sci. and Engineering, Nanjing Univ., Nanjing 210093, CHN)
,
YAN Feng
(School of Electronics Sci. and Engineering, Nanjing Univ., Nanjing 210093, CHN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 114 号： 22 ページ： 224502-224502-5 発行年： 2013年12月14日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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