文献
J-GLOBAL ID:201402267831091396
整理番号:14A0224097
0.13μmSiGe BiCMOS技術による20dB利得と4dB雑音指数を持つ110GHz LNA
A 110GHz LNA with 20dB Gain and 4dB Noise Figure in an 0.13μm SiGe BiCMOS Technology
著者 (7件):
ULUSOY A.Cagri
(Univ. Ulm, Ulm, DEU)
,
ULUSOY A.Cagri
(Georgia Inst. Technol., GA)
,
KAYNAK Mehmet
(IHP Microelectronics, Frankfurt(Oder), DEU)
,
VALENTA Vaclav
(Univ. Ulm, Ulm, DEU)
,
TILLACK Bernd
(IHP Microelectronics, Frankfurt(Oder), DEU)
,
TILLACK Bernd
(Technische Univ. Berlin, Berlin, DEU)
,
SCHUMACHER Hermann
(Univ. Ulm, Ulm, DEU)
資料名:
IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest
(IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest)
巻:
2013 Vol.1
ページ:
441-443
発行年:
2013年
JST資料番号:
A0636A
ISSN:
0149-645X
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)