文献
J-GLOBAL ID:201402268318208721
整理番号:14A1484281
原子層デポジション技術を使った誘電体SiNxCyシーリング層の形成
The formation of a dielectric SiN x C y sealing layer using an atomic layer deposition technique
著者 (3件):
KIM Doyoung
(School of Electrical and Electronic Engineering, Ulsan Coll., Ulsan 680-749, KOR)
,
KIM Soo-hyun
(School of Materials Sci. and Engineering, Yeungnam Univ., Gyeongsan 712-749, KOR)
,
KIM Hyungjun
(School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei Univ., Seoul 120-749, KOR)
資料名:
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻:
29
ページ:
139-142
発行年:
2015年01月
JST資料番号:
W1055A
ISSN:
1369-8001
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)