文献
J-GLOBAL ID:201402268714378354
整理番号:14A0551377
底部酸化膜保護を持つ4H-SiCトレンチMOSFET
4H-SiC Trench MOSFET with Bottom Oxide Protection
著者 (10件):
KAGAWA Yasuhiro
(Mitsubishi Electric Corp., HYOGO, JPN)
,
FUJIWARA Nobuo
(Mitsubishi Electric Corp., HYOGO, JPN)
,
SUGAWARA Katsutoshi
(Mitsubishi Electric Corp., HYOGO, JPN)
,
TANAKA Rina
(Mitsubishi Electric Corp., HYOGO, JPN)
,
FUKUI Yutaka
(Mitsubishi Electric Corp., HYOGO, JPN)
,
YAMAMOTO Yasuki
(Mitsubishi Electric Corp., HYOGO, JPN)
,
MIURA Naruhisa
(Mitsubishi Electric Corp., HYOGO, JPN)
,
IMAIZUMI Masayuki
(Mitsubishi Electric Corp., FUKUOKA, JPN)
,
NAKATA Shuhei
(Mitsubishi Electric Corp., HYOGO, JPN)
,
YAMAKAWA Satoshi
(Mitsubishi Electric Corp., HYOGO, JPN)
資料名:
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻:
778/780
号:
Pt.2
ページ:
919-922
発行年:
2014年
JST資料番号:
D0716B
ISSN:
0255-5476
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)