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J-GLOBAL ID：201402268723974377 整理番号：14A0879722

劈開端面を有するサブ200nmAlN-GaN-AlN導波路の作製

Fabrication of sub-200 nm AlN-GaN-AlN waveguide with cleaved end facet

著者 (7件)：

CHEN Yijing

(Data Storage Inst., Agency for Sci., Technol. and Res. (A*STAR), 5 Engineering Drive 1, Singapore 117608)

KRISHNAMURTHY Vivek

(Data Storage Inst., Agency for Sci., Technol. and Res. (A*STAR), 5 Engineering Drive 1, Singapore 117608)

LAI Yicheng

(Data Storage Inst., Agency for Sci., Technol. and Res. (A*STAR), 5 Engineering Drive 1, Singapore 117608)

LUO Yi

(Tsinghua National Lab. for Information Sci. and Technol., Dep. of Electronic Engineering, Tsinghua Univ., Beijing ...)

HAO Zhibiao

(Tsinghua National Lab. for Information Sci. and Technol., Dep. of Electronic Engineering, Tsinghua Univ., Beijing ...)

WANG Lai

(Tsinghua National Lab. for Information Sci. and Technol., Dep. of Electronic Engineering, Tsinghua Univ., Beijing ...)

HO Seng-tiong

(EECS Dep., Northwestern Univ., 2145 Sheridan Road, Evanston, Illinois 60208)

資料名：

Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)

巻： 32 号： 4 ページ： 041207-041207-5 発行年： 2014年07月
JST資料番号： E0974A ISSN： 2166-2746 CODEN： JVTBD9 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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