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文献
J-GLOBAL ID：201402269608293796
整理番号：14A0552038
SiO2と高kゲート誘電体を有する金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタにおけるランダムテレグラフノイズに及ぼすプラズマチャージングダメージの影響
Effects of plasma-induced charging damage on random telegraph noise in metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with SiO2 and high-k gate dielectrics
KAMEI Masayuki
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
TAKAO Yoshinori
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
ERIGUCHI Koji
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
ONO Kouichi
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 53 号： 3S2 ページ： 03DF02.1-03DF02.7 発行年： 2014年03月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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