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文献
J-GLOBAL ID：201402270614466676
整理番号：14A1224853
新しいHfO2ベース1T強誘電体不揮発性メモリにおける耐久性劣化原因
Origin of the Endurance Degradation in the Novel HfO2 based 1T Ferroelectric Non-Volatile Memories
YURCHUK Ekaterina
(NaMLab gGmbH, Dresden, DEU)
,
MUELLER Stefan
(NaMLab gGmbH, Dresden, DEU)
,
MARTIN Dominik
(NaMLab gGmbH, Dresden, DEU)
,
SLESAZECK Stefan
(NaMLab gGmbH, Dresden, DEU)
,
SCHROEDER Uwe
(NaMLab gGmbH, Dresden, DEU)
,
MIKOLAJICK Thomas
(Technische Univ. Dresden, Dresden, DEU)
,
MUELLER Johannes
(Fraunhofer Center Nanoelectronic Technol., Dresden, DEU)
,
PAUL Jan
(Fraunhofer Center Nanoelectronic Technol., Dresden, DEU)
,
HOFFMANN Raik
(Fraunhofer Center Nanoelectronic Technol., Dresden, DEU)
,
SUNDQVIST Jonas
(Fraunhofer Center Nanoelectronic Technol., Dresden, DEU)
,
SCHLOESSER Till
(GLOBALFOUNDRIES, Dresden, DEU)
,
BOSCHKE Roman
(GLOBALFOUNDRIES, Dresden, DEU)
,
VAN BENTUM Ralf
(GLOBALFOUNDRIES, Dresden, DEU)
,
TRENTZSCH Martin
(GLOBALFOUNDRIES, Dresden, DEU)
資料名：
Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium
(Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻： 2014 Vol.1 ページ： 124-128 発行年： 2014年
JST資料番号： A0631A ISSN： 1541-7026 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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