文献
J-GLOBAL ID:201402271117692723
整理番号:14A0545869
ウルツ鉱型CuGaO2 太陽電池吸収体として利用可能な新しい直接および狭幅バンドギャップ酸化物半導体
Wurtzite CuGaO2: A New Direct and Narrow Band Gap Oxide Semiconductor Applicable as a Solar Cell Absorber
著者 (6件):
OMATA Takahisa
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
NAGATANI Hiraku
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
SUZUKI Issei
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
KITA Masao
(Toyama National Coll. of Technol., Toyama, JPN)
,
YANAGI Hiroshi
(Univ. Yamanashi, Yamanashi, JPN)
,
OHASHI Naoki
(National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN)
資料名:
Journal of the American Chemical Society
(Journal of the American Chemical Society)
巻:
136
号:
9
ページ:
3378-3381
発行年:
2014年03月05日
JST資料番号:
C0254A
ISSN:
0002-7863
CODEN:
JACSAT
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)