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文献
J-GLOBAL ID：201402271211785778
整理番号：14A0413235
低Mgドープp-GaNショットキーダイオードのSiN堆積損傷に対する高温等温容量過渡分光研究
High-temperature isothermal capacitance transient spectroscopy study on SiN deposition damages for low-Mg-doped p-GaN Schottky diodes
SHIOJIMA Kenji
(Graduate School of Engineering, Univ. of Fukui, 3-9-1 Bunkyo, Fukui 910-8507, JPN)
,
WAKAYAMA Hisashi
(Graduate School of Engineering, Univ. of Fukui, 3-9-1 Bunkyo, Fukui 910-8507, JPN)
,
AOKI Toshichika
(Graduate School of Engineering, Univ. of Fukui, 3-9-1 Bunkyo, Fukui 910-8507, JPN)
,
KANEDA Naoki
(Graduate School of Engineering, Univ. of Fukui, 3-9-1 Bunkyo, Fukui 910-8507, JPN)
,
KANEDA Naoki
(Res. and Dev. Lab., Corporate Advanced Technol. Group, Hitachi Cable Ltd., 3550 Kidamari, Tsuchiura, Ibaraki ...)
,
NOMOTO Kazuki
(Dep. of Electrical Engineering, Univ. of Notre Dame, 228 Stinson Remick, Norte Dame, IN 46556, USA)
,
MISHIMA Tomoyoshi
(Res. and Dev. Lab., Corporate Advanced Technol. Group, Hitachi Cable Ltd., 3550 Kidamari, Tsuchiura, Ibaraki ...)
資料名：
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻： 557 ページ： 268-271 発行年： 2014年04月30日
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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