文献
J-GLOBAL ID:201402271699763786
整理番号:14A0479595
半導体性二次元遷移金属二カルコゲン化物のデバイスへの新しい応用
Emerging Device Applications for Semiconducting Two-Dimensional Transition Metal Dichalcogenides
著者 (5件):
JARIWALA Deep
(Northwestern Univ., Illinois, USA)
,
SANGWAN Vinod K.
(Northwestern Univ., Illinois, USA)
,
LAUHON Lincoln J.
(Northwestern Univ., Illinois, USA)
,
MARKS Tobin J.
(Northwestern Univ., Illinois, USA)
,
HERSAM Mark C.
(Northwestern Univ., Illinois, USA)
資料名:
ACS Nano
(ACS Nano)
巻:
8
号:
2
ページ:
1102-1120
発行年:
2014年02月
JST資料番号:
W2326A
ISSN:
1936-0851
CODEN:
ANCAC3
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
文献レビュー
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)