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文献
J-GLOBAL ID：201402271882343052
整理番号：14A1108917
触媒ドーピング リンおよびホウ素を結晶シリコンに80°Cで浅ドーピングする新しい方法
Cat-doping: Novel method for phosphorus and boron shallow doping in crystalline silicon at 80 °C
MATSUMURA Hideki
(Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol. (JAIST), Asahidai, Nomi-shi, Ishikawa-ken 923-1292, JPN)
,
HAYAKAWA Taro
(Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol. (JAIST), Asahidai, Nomi-shi, Ishikawa-ken 923-1292, JPN)
,
OHTA Tatsunori
(Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol. (JAIST), Asahidai, Nomi-shi, Ishikawa-ken 923-1292, JPN)
,
NAKASHIMA Yuki
(Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol. (JAIST), Asahidai, Nomi-shi, Ishikawa-ken 923-1292, JPN)
,
MIYAMOTO Motoharu
(Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol. (JAIST), Asahidai, Nomi-shi, Ishikawa-ken 923-1292, JPN)
,
THI Trinh Cham
(Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol. (JAIST), Asahidai, Nomi-shi, Ishikawa-ken 923-1292, JPN)
,
KOYAMA Koichi
(Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol. (JAIST), Asahidai, Nomi-shi, Ishikawa-ken 923-1292, JPN)
,
OHDAIRA Keisuke
(Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol. (JAIST), Asahidai, Nomi-shi, Ishikawa-ken 923-1292, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 116 号： 11 ページ： 114502-114502-10 発行年： 2014年09月21日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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