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文献
J-GLOBAL ID：201402272840511245
整理番号：14A0575587
集積CMOS-MEMS技法に対する多重物理学シミュレーションで設計した容量性CMOS-MEMSセンサ
A capacitive CMOS-MEMS sensor designed by multi-physics simulation for integrated CMOS-MEMS technology
KONISHI Toshifumi
(NTT Advanced Technol. Corp., Kanagawa, JPN)
,
YAMANE Daisuke
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
MATSUSHIMA Takaaki
(NTT Advanced Technol. Corp., Kanagawa, JPN)
,
MASU Kazuya
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
MACHIDA Katsuyuki
(NTT Advanced Technol. Corp., Kanagawa, JPN)
,
MACHIDA Katsuyuki
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
TOSHIYOSHI Hiroshi
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 53 号： 4S ページ： 04EE15.1-04EE15.7 発行年： 2014年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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