文献
J-GLOBAL ID:201402272902179188
整理番号:14A0286185
Si基板上のGaN/AlGaN/GaNヘテロ構造における光成長Ga2O3の高分解能X線光電子分光法による研究
High-resolution X-ray Photoemission Study of Photo-grown Ga2O3 in GaN/AlGaN/GaN Heterostructures on Si Substrates
著者 (6件):
JOO Beom Soo
(Univ. Seoul, Seoul, KOR)
,
HAN Moonsup
(Univ. Seoul, Seoul, KOR)
,
CHANG Young Jun
(Univ. Seoul, Seoul, KOR)
,
SHIN Jong Hoon
(LG Electronics, Seoul, KOR)
,
JANG Seung Yup
(LG Electronics, Seoul, KOR)
,
JANG Taehoon
(LG Electronics, Seoul, KOR)
資料名:
Journal of the Korean Physical Society
(Journal of the Korean Physical Society)
巻:
63
号:
12
ページ:
2314-2318
発行年:
2013年12月31日
JST資料番号:
T0357A
ISSN:
0374-4884
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
韓国 (KOR)
言語:
英語 (EN)