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文献
J-GLOBAL ID：201402272902179188
整理番号：14A0286185
Si基板上のGaN/AlGaN/GaNヘテロ構造における光成長Ga2O3の高分解能X線光電子分光法による研究
High-resolution X-ray Photoemission Study of Photo-grown Ga2O3 in GaN/AlGaN/GaN Heterostructures on Si Substrates
JOO Beom Soo
(Univ. Seoul, Seoul, KOR)
,
HAN Moonsup
(Univ. Seoul, Seoul, KOR)
,
CHANG Young Jun
(Univ. Seoul, Seoul, KOR)
,
SHIN Jong Hoon
(LG Electronics, Seoul, KOR)
,
JANG Seung Yup
(LG Electronics, Seoul, KOR)
,
JANG Taehoon
(LG Electronics, Seoul, KOR)
資料名：
Journal of the Korean Physical Society
(Journal of the Korean Physical Society)
巻： 63 号： 12 ページ： 2314-2318 発行年： 2013年12月31日
JST資料番号： T0357A ISSN： 0374-4884 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 韓国 (KOR) 言語： 英語 (EN)
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