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文献
J-GLOBAL ID：201402274243828842
整理番号：14A1039910
炭化ケイ素電力MOSFET:900Vから15kVへ上昇する絶縁破壊特性
Silicon Carbide Power MOSFETs: Breakthrough Performance from 900V up to 15kV
PALMOUR J.W.
(Cree, Inc., NC, USA)
,
CHENG L.
(Cree, Inc., NC, USA)
,
PALA V.
(Cree, Inc., NC, USA)
,
BRUNT E.V.
(Cree, Inc., NC, USA)
,
LICHTENWALNER D.J.
(Cree, Inc., NC, USA)
,
WANG G-Y
(Cree, Inc., NC, USA)
,
RICHMOND J.
(Cree, Inc., NC, USA)
,
O’LOUGHLIN M.
(Cree, Inc., NC, USA)
,
RYU S.
(Cree, Inc., NC, USA)
,
ALLEN S.T.
(Cree, Inc., NC, USA)
,
BURK A.A.
(Cree, Inc., NC, USA)
,
SCOZZIE C.
(U.S. Army Res. Lab., MD, USA)
資料名：
Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
(Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 26th ページ： 79-82 発行年： 2014年
JST資料番号： W1300A ISSN： 1943-653X 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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