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文献
J-GLOBAL ID：201402274557982471
整理番号：14A0551329
上昇雰囲気温度におけるに表面活性化接合(SAB)に基づくSi/SiC接合でのI-V特性
I-V characteristics in Surface-Activated Bonding (SAB) based Si/SiC junctions at raised ambient temperatures
NISHIDA Shota
(Osaka City Univ., Osaka, JPN)
,
LIANG Jianbo
(Osaka City Univ., Osaka, JPN)
,
MORIMOTO Masashi
(Osaka City Univ., Osaka, JPN)
,
SHIGEKAWA Naoteru
(Osaka City Univ., Osaka, JPN)
,
ARAI Manabu
(New Japan Radio Co., Ltd., Tokyo, JPN)
資料名：
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻： 778/780 号： Pt.2 ページ： 718-721 発行年： 2014年
JST資料番号： D0716B ISSN： 0255-5476 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE) 言語： 英語 (EN)
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