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文献
J-GLOBAL ID：201402275333983312
整理番号：14A0057602
4H-SiCエピ層表面の局在ファセット化の解析とモデル化
Analysis and modeling of localized faceting on 4H-SiC epilayer surfaces
DONG Lin
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
,
SUN Guosheng
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
,
SUN Guosheng
(Tianyu Semiconductor Technol. Co., Ltd., Dongguan, CHN)
,
ZHENG Liu
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
,
LIU Xingfang
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
,
ZHANG Feng
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
,
YAN Guoguo
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
,
TIAN Lixin
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
,
LI Xiguang
(Tianyu Semiconductor Technol. Co., Ltd., Dongguan, CHN)
,
WANG Zhanguo
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
資料名：
Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science
(Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 210 号： 11 ページ： 2503-2509 発行年： 2013年11月
JST資料番号： D0774A ISSN： 1862-6300 CODEN： PSSABA 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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