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文献
J-GLOBAL ID：201402275667552649
整理番号：14A0907358
配位子交換を通じた硫化鉛量子ドット薄膜におけるエネルギー準位改変
Energy Level Modification in Lead Sulfide Quantum Dot Thin Films through Ligand Exchange
BROWN Patrick R.
(Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts, USA)
,
KIM Donghun
(Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts, USA)
,
LUNT Richard R.
(Michigan State Univ., Michigan, USA)
,
ZHAO Ni
(Chinese Univ. Hong Kong, HKG)
,
BAWENDI Moungi G.
(Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts, USA)
,
GROSSMAN Jeffrey C.
(Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts, USA)
,
BULOVIC Vladimir
(Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts, USA)
資料名：
ACS Nano
(ACS Nano)
巻： 8 号： 6 ページ： 5863-5872 発行年： 2014年06月
JST資料番号： W2326A ISSN： 1936-0851 CODEN： ANCAC3 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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