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文献
J-GLOBAL ID：201402275882135196
整理番号：14A0892183
合成電界効果によるトンネル電界効果トランジスタの性能向上
Performance Enhancement of Tunnel Field-Effect Transistors by Synthetic Electric Field Effect
MORITA Yukinori
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, JPN)
,
MORI Takahiro
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, JPN)
,
MIGITA Shinji
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, JPN)
,
MIZUBAYASHI Wataru
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, JPN)
,
TANABE Akihito
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, JPN)
,
FUKUDA Koichi
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, JPN)
,
MATSUKAWA Takashi
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, JPN)
,
ENDO Kazuhiko
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, JPN)
,
O’UCHI Shinichi
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, JPN)
,
LIU Yong Xun
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, JPN)
,
MASAHARA Meishoku
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, JPN)
,
OTA Hiroyuki
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, JPN)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 35 号： 7 ページ： 792-794 発行年： 2014年07月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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