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文献
J-GLOBAL ID：201402277301242208
整理番号：14A0511888
10nm未満チャネル長までスケーリングした極薄チャネルMOSFETにおける準バリスティック輸送に及ぼすMOS界面の変形ポテンシャル増加の影響
The Impact of Increased Deformation Potential at MOS Interface on Quasi-Ballistic Transport in Ultrathin Channel MOSFETs Scaled down to Sub-10nm Channel Length
KOBA S.
(Kobe Univ., Kobe, JPN)
,
ISHIDA R.
(Kobe Univ., Kobe, JPN)
,
KUBOTA Y.
(Kobe Univ., Kobe, JPN)
,
TSUCHIYA H.
(Kobe Univ., Kobe, JPN)
,
TSUCHIYA H.
(JST-CREST, Tokyo, JPN)
,
KAMAKURA Y.
(Osaka Univ., Suita, JPN)
,
KAMAKURA Y.
(JST-CREST, Tokyo, JPN)
,
MORI N.
(Osaka Univ., Suita, JPN)
,
MORI N.
(JST-CREST, Tokyo, JPN)
,
OGAWA M.
(Kobe Univ., Kobe, JPN)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2013 ページ： 312-315 発行年： 2013年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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