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文献
J-GLOBAL ID:201402277550562611   整理番号:14A0487348

電気化学的手法によるIII-V族半導体多孔質構造の形成と高感度化学センサへの応用

ELECTROCHEMICAL FORMATION OF III-V SEMICONDUCTOR POROUS STRUCTURES FOR HIGHT-SENSITIVE SENSOR APPRICATIONS
著者 (3件):
佐藤威友
(北大 量子集積エレクトロニクス研セ)
渡部晃生
(北大 量子集積エレクトロニクス研セ)
熊崎祐介
(北大 量子集積エレクトロニクス研セ)

資料名:
Chemical Sensors  (Chemical Sensors)

巻: 30  号: Supplement A  ページ: 64-66  発行年: 2014年03月29日 
JST資料番号: L3948A  CODEN: KAGSEU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 解説  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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