文献
J-GLOBAL ID:201402278385981210
整理番号:14A0855105
シリコンIGBTと比較して改善されたSiC MOSFETの電熱的耐久性
Improved Electrothermal Ruggedness in SiC MOSFETs Compared With Silicon IGBTs
著者 (6件):
ALEXAKIS Petros
(Univ. Warwick, Coventry, GBR)
,
ALATISE Olayiwola
(Univ. Warwick, Coventry, GBR)
,
HU Ji
(Univ. Warwick, Coventry, GBR)
,
JAHDI Saeed
(Univ. Warwick, Coventry, GBR)
,
RAN Li
(Univ. Warwick, Coventry, GBR)
,
MAWBY Philip A.
(Univ. Warwick, Coventry, GBR)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
61
号:
7
ページ:
2278-2286
発行年:
2014年07月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)