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文献
J-GLOBAL ID：201402278624954548
整理番号：14A0590641
AlGaN/GaNヘテロ構造上に堆積したNi/Alをアニールすることによる3000 cm2V-1s-1を超える室温二次元電子気体移動度
Over 3000cm2V-1s-1 room temperature two-dimensional electron gas mobility by annealing Ni/Al deposited on AlGaN/GaN heterostructures
TOKUDA Hirokuni
(Univ. Fukui, Fukui, JPN)
,
KOJIMA Toshikazu
(Univ. Fukui, Fukui, JPN)
,
KUZUHARA Masaaki
(Univ. Fukui, Fukui, JPN)
資料名：
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻： 7 号： 4 ページ： 041001.1-041001.3 発行年： 2014年04月
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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