文献
J-GLOBAL ID:201402279209071076
整理番号:14A1293380
定常状態フォトキャパシタンス法によるCu(In,Ge)Se2薄膜中の深準位欠陥の研究
Investigation of deep-level defects in Cu(In,Ga)Se2 thin films by a steady-state photocapacitance method
著者 (6件):
HU Xiaobo
(Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN)
,
SAKURAI Takeaki
(Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN)
,
YAMADA Akimasa
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)
,
ISHIZUKA Shogo
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)
,
NIKI Sigeru
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)
,
AKIMOTO Katsuhiro
(Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
116
号:
16
ページ:
163703-163703-5
発行年:
2014年10月28日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)