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文献
J-GLOBAL ID：201402279507256348
整理番号：14A0907351
Schottky障壁改良によってMoS2-グラフェンヘテロ構造におけるオン-オフ電流比と電界効果移動度を調節する
Tuning On-Off Current Ratio and Field-Effect Mobility in a MoS2-Graphene Heterostructure via Schottky Barrier Modulation
SHIH Chih-Jen
(Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts, USA)
,
WANG Qing Hua
(Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts, USA)
,
SON Youngwoo
(Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts, USA)
,
JIN Zhong
(Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts, USA)
,
BLANKSCHTEIN Daniel
(Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts, USA)
,
STRANO Michael S.
(Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts, USA)
資料名：
ACS Nano
(ACS Nano)
巻： 8 号： 6 ページ： 5790-5798 発行年： 2014年06月
JST資料番号： W2326A ISSN： 1936-0851 CODEN： ANCAC3 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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