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文献
J-GLOBAL ID：201402280599220652
整理番号：14A1272842
プラズマアシスト分子線エピタキシーによるβ-Ga2O3(010)の成長速度の系統的研究
Systematic investigation of the growth rate of β-Ga2O3(010) by plasma-assisted molecular beam epitaxy
OKUMURA Hironori
(Univ. California, CA, USA)
,
KITA Masao
(Toyama National Coll. Technol., Toyama, JPN)
,
SASAKI Kohei
(Tamura Corp., Saitama, JPN)
,
KURAMATA Akito
(Tamura Corp., Saitama, JPN)
,
HIGASHIWAKI Masataka
(National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN)
,
SPECK James S.
(Univ. California, CA, USA)
資料名：
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻： 7 号： 9 ページ： 095501.1-095501.4 発行年： 2014年09月
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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