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文献
J-GLOBAL ID:201402282477939403   整理番号:14A0156476

異なるアルキル鎖長を有するポリ(3-アルキルチオフェン)に基づく高性能なトップゲート型電界効果トランジスタ

High performance top-gate field-effect transistors based on poly(3-alkylthiophenes) with different alkyl chain lengths
著者 (7件):
TAKAGI Kenichiro
(Dep. of Physics and Electronics, Osaka Prefecture Univ., Sakai 599-8531, JPN)
NAGASE Takashi
(Dep. of Physics and Electronics, Osaka Prefecture Univ., Sakai 599-8531, JPN)
NAGASE Takashi
(The Res. Inst. for Molecular Electronic Devices, Osaka Prefecture Univ., Sakai 599-8531, JPN)
KOBAYASHI Takashi
(Dep. of Physics and Electronics, Osaka Prefecture Univ., Sakai 599-8531, JPN)
KOBAYASHI Takashi
(The Res. Inst. for Molecular Electronic Devices, Osaka Prefecture Univ., Sakai 599-8531, JPN)
NAITO Hiroyoshi
(Dep. of Physics and Electronics, Osaka Prefecture Univ., Sakai 599-8531, JPN)
NAITO Hiroyoshi
(The Res. Inst. for Molecular Electronic Devices, Osaka Prefecture Univ., Sakai 599-8531, JPN)

資料名:
Organic Electronics  (Organic Electronics)

巻: 15  号:ページ: 372-377  発行年: 2014年02月 
JST資料番号: W1352A  ISSN: 1566-1199  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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