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文献
J-GLOBAL ID：201402282477939403
整理番号：14A0156476
異なるアルキル鎖長を有するポリ(3-アルキルチオフェン)に基づく高性能なトップゲート型電界効果トランジスタ
High performance top-gate field-effect transistors based on poly(3-alkylthiophenes) with different alkyl chain lengths
TAKAGI Kenichiro
(Dep. of Physics and Electronics, Osaka Prefecture Univ., Sakai 599-8531, JPN)
,
NAGASE Takashi
(Dep. of Physics and Electronics, Osaka Prefecture Univ., Sakai 599-8531, JPN)
,
NAGASE Takashi
(The Res. Inst. for Molecular Electronic Devices, Osaka Prefecture Univ., Sakai 599-8531, JPN)
,
KOBAYASHI Takashi
(Dep. of Physics and Electronics, Osaka Prefecture Univ., Sakai 599-8531, JPN)
,
KOBAYASHI Takashi
(The Res. Inst. for Molecular Electronic Devices, Osaka Prefecture Univ., Sakai 599-8531, JPN)
,
NAITO Hiroyoshi
(Dep. of Physics and Electronics, Osaka Prefecture Univ., Sakai 599-8531, JPN)
,
NAITO Hiroyoshi
(The Res. Inst. for Molecular Electronic Devices, Osaka Prefecture Univ., Sakai 599-8531, JPN)
資料名：
Organic Electronics
(Organic Electronics)
巻： 15 号： 2 ページ： 372-377 発行年： 2014年02月
JST資料番号： W1352A ISSN： 1566-1199 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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