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文献
J-GLOBAL ID：201402285293599773
整理番号：14A0630833
不動態化Si(001)表面に成長させたαセキシチオフェン超薄膜の電子構造
Electronic structure of α-sexithiophene ultrathin films grown on passivated Si(001) surfaces
HIRAGA K.
(Fac. of Engineering, Yokohama National Univ., 79-5 Tokiwadai, Hodogaya-ku, Yokohama 240-8501, JPN)
,
TOYOSHIMA H.
(Fac. of Engineering, Yokohama National Univ., 79-5 Tokiwadai, Hodogaya-ku, Yokohama 240-8501, JPN)
,
TANAKA H.
(Fac. of Engineering, Yokohama National Univ., 79-5 Tokiwadai, Hodogaya-ku, Yokohama 240-8501, JPN)
,
INOUE K.
(Fac. of Engineering, Yokohama National Univ., 79-5 Tokiwadai, Hodogaya-ku, Yokohama 240-8501, JPN)
,
OHNO S.
(Fac. of Engineering, Yokohama National Univ., 79-5 Tokiwadai, Hodogaya-ku, Yokohama 240-8501, JPN)
,
MUKAI K.
(The Inst. for Solid State Physics, The Univ. of Tokyo, 5-1-5 Kashiwanoha, Kashiwa, Chiba 277-8581, JPN)
,
YOSHINOBU J.
(The Inst. for Solid State Physics, The Univ. of Tokyo, 5-1-5 Kashiwanoha, Kashiwa, Chiba 277-8581, JPN)
,
TANAKA M.
(Fac. of Engineering, Yokohama National Univ., 79-5 Tokiwadai, Hodogaya-ku, Yokohama 240-8501, JPN)
資料名：
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻： 307 ページ： 520-524 発行年： 2014年07月15日
JST資料番号： B0707B ISSN： 0169-4332 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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