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文献
J-GLOBAL ID：201402286118858266
整理番号：14A0032078
ALD-Al2O3を有するInAlN MOS構造の電気的特性に対する作製プロセスの影響
Effects of Fabrication Process on Electrical Properties of InAlN MOS Structures with ALD-Al2O3
千葉勝仁
(北大 量子集積エレクトロニクス研セ)
,
中野拓真
(北大 量子集積エレクトロニクス研セ)
,
赤澤正道
(北大 量子集積エレクトロニクス研セ)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 113 号： 329(ED2013 64-89) ページ： 101-105 発行年： 2013年11月21日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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