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文献
J-GLOBAL ID：201402286355478591
整理番号：14A1448880
シングルポリ埋め込みフラッシュメモリディスターバンス,プログラム/消去速度,耐久性,リテンション特性の比較研究
A Comparative Study of Single-Poly Embedded Flash Memory Disturbance, Program/Erase Speed, Endurance, and Retention Characteristic
SONG Seung-Hwan
(Univ. Minnesota, MN, USA)
,
SONG Seung-Hwan
(HGST, CA, USA)
,
KIM Jongyeon
(Univ. Minnesota, MN, USA)
,
KIM Chris H.
(Univ. Minnesota, MN, USA)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 61 号： 11 ページ： 3737-3743 発行年： 2014年11月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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