文献
J-GLOBAL ID:201402287535676630
整理番号:14A1187558
表面準位と電界浸透に起因するW18O49ナノワイヤからの電界放出の異常な温度依存性
Anomalous temperature dependence of field emission from W18O49 nanowires caused by surface states and field penetration
著者 (5件):
CHEN W. Q.
(State Key Lab. of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Lab. of Display Material and ...)
,
ZHAN R. Z.
(State Key Lab. of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Lab. of Display Material and ...)
,
DENG S. Z.
(State Key Lab. of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Lab. of Display Material and ...)
,
XU N. S.
(State Key Lab. of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Lab. of Display Material and ...)
,
CHEN Jun
(State Key Lab. of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Lab. of Display Material and ...)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
116
号:
13
ページ:
133506-133506-5
発行年:
2014年10月07日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)