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文献
J-GLOBAL ID：201402294654043812
整理番号：14A1224934
BTI誘起デバイスパラメータ劣化とスケーリング金属ゲート/高k CMOS技術の変動との関係
Correlation of BTI induced device parameter degradation and variation in scaled Metal Gate/High-k CMOS technologies
KERBER A.
(GLOBALFOUNDRIES Inc., NY, USA)
,
NIGAM T.
(GLOBALFOUNDRIES Inc., CA, USA)
資料名：
Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium
(Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻： 2014 Vol.2 ページ： 598-603 発行年： 2014年
JST資料番号： A0631A ISSN： 1541-7026 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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