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文献
J-GLOBAL ID：201402294741382445
整理番号：14A0425927
P3HTファイバベース電界効果トランジスタ:ナノ構造及びアニーリング温度の効果
P3HT-fiber-based field-effect transistor: Effects of nanostructure and annealing temperature
TIWARI Shashi
(Banaras Hindu Univ., Varanasi, IND)
,
TAKASHIMA Wataru
(Kyushu Inst. Technol., Kitakyushu, JPN)
,
BALASUBRAMANIAN Sirkazhi K.
(Banaras Hindu Univ., Varanasi, IND)
,
MIYAJIMA Shougo
(Kyushu Inst. Technol., Kitakyushu, JPN)
,
NAGAMATSU Shuichi
(Kyushu Inst. Technol., Kitakyushu, JPN)
,
PANDEY Shyam Sudhir
(Kyushu Inst. Technol., Kitakyushu, JPN)
,
PRAKASH Rajiv
(Banaras Hindu Univ., Varanasi, IND)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 53 号： 2 ページ： 021601.1-021601.7 発行年： 2014年02月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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