文献
J-GLOBAL ID:201402295524253277
整理番号:14A0568137
ドナー-アクセプタのドーピングによるヘテロ構造に基づく高出力電界効果トランジスタの開発に対する展望
Prospects for the development of high-power field-effect transistors based on heterostructures with donor-acceptor doping
著者 (7件):
LUKASHIN V. M.
(Scientific and Production Corp. “Istok”, 141195, Moscow oblast, Fryazino, RUS)
,
PASHKOVSKII A. B.
(Scientific and Production Corp. “Istok”, 141195, Moscow oblast, Fryazino, RUS)
,
ZHURAVLEV K. S.
(Russian Acad. of Sciences, Siberian Branch, Rzhanov Inst. of Semiconductor Physics, 630090, Novosibirsk, RUS)
,
TOROPOV A. I.
(Russian Acad. of Sciences, Siberian Branch, Rzhanov Inst. of Semiconductor Physics, 630090, Novosibirsk, RUS)
,
LAPIN V. G.
(Scientific and Production Corp. “Istok”, 141195, Moscow oblast, Fryazino, RUS)
,
GOLANT E. I.
(Scientific and Production Corp. “Istok”, 141195, Moscow oblast, Fryazino, RUS)
,
KAPRALOVA A. A.
(Scientific and Production Corp. “Istok”, 141195, Moscow oblast, Fryazino, RUS)
資料名:
Semiconductors
(Semiconductors)
巻:
48
号:
5
ページ:
666-674
発行年:
2014年05月
JST資料番号:
T0093A
ISSN:
1063-7826
CODEN:
SMICES
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)