文献
J-GLOBAL ID:201402298416314463
整理番号:14A0487707
UVオゾン支援ゾルゲル法による電気的に安定な溶液プロセスアモルファス酸化物IZO薄膜トランジスタ
Electrically Stable, Solution-Processed Amorphous Oxide IZO Thin-Film Transistors Through a UV-Ozone Assisted Sol-Gel Approach
著者 (5件):
SINGH Thokchom Birendra
(CSIRO Materials Sci. and Engineering, VIC, AUS)
,
JASIENIAK Jacek Jaroslaw
(CSIRO Materials Sci. and Engineering, VIC, AUS)
,
DE OLIVEIRA TOZI Leonardo
(CSIRO Materials Sci. and Engineering, VIC, AUS)
,
EASTON Christopher David
(CSIRO Materials Sci. and Engineering, VIC, AUS)
,
BOWN Mark
(CSIRO Materials Sci. and Engineering, VIC, AUS)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
61
号:
4
ページ:
1093-1100
発行年:
2014年04月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)