文献
J-GLOBAL ID:201502200653561546
整理番号:15A0812631
高移動度β-Ga2O3(-201)単結晶を用いたショットキーバリアダイオードの作製
Schottky barrier diodes of high mobility β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> (<span style=text-decoration:overline>2</span>01) single crystals grown by edge-defined-fed growth method
著者 (5件):
古賀優太
(佐賀大 大学院工学系研究科)
,
原田和也
(佐賀大 大学院工学系研究科)
,
花田賢志
(佐賀大 大学院工学系研究科)
,
大石敏之
(佐賀大 大学院工学系研究科)
,
嘉数誠
(佐賀大 大学院工学系研究科)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
115
号:
65(SDM2015 18-37)
ページ:
31-34
発行年:
2015年05月21日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)