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文献
J-GLOBAL ID：201502201413525734
整理番号：15A0647937
柔軟なInGaZnO薄膜トランジスタの曲げ性能およびバイアス安定性の向上および塑性ポリ(エチレンナフタレート)基板の最適な障壁構造
Improvements in the bending performance and bias stability of flexible InGaZnO thin film transistors and optimum barrier structures for plastic poly(ethylene naphthalate) substrates
PARK Min-Ji
(Dep. of Advanced Materials Engineering for Information & Electronics, Kyung Hee Univ., Yongin, Gyeonggi-do 446-701 ...)
,
YUN Da-Jeong
,
RYU Min-Ki
,
YANG Jong-Heon
,
PI Jae-Eun
,
KWON Oh-Sang
,
KIM Gi Heon
,
HWANG Chi-Sun
,
BAK Jun-Yong
,
YOON Sung-Min
資料名：
Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices
(Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 3 号： 18 ページ： 4779-4786 発行年： 2015年05月14日
JST資料番号： W2383A ISSN： 2050-7526 CODEN： JMCCCX 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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