文献
J-GLOBAL ID:201502201645777803
整理番号:15A0907861
HfO2抵抗スイッチングメモリにおけるデータ保持統計とモデリング
Data retention statistics and modelling in HfO2 resistive switching memories
著者 (7件):
AMBROGIO Stefano
(Politecnico di Milano, Milano, ITA)
,
BALATTI SIMONE
(Politecnico di Milano, Milano, ITA)
,
WANG Zhong Qiang
(Politecnico di Milano, Milano, ITA)
,
CHEN Yu-Sheng
(Industrial Technol. Res. Inst. (ITRI), TWN)
,
LEE Heng-Yuan
(Industrial Technol. Res. Inst. (ITRI), TWN)
,
CHEN Frederick T.
(Industrial Technol. Res. Inst. (ITRI), TWN)
,
IELMINI Daniele
(Politecnico di Milano, Milano, ITA)
資料名:
Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium
(Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻:
2015 Vol.2
ページ:
819-824
発行年:
2015年
JST資料番号:
A0631A
ISSN:
1541-7026
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)