文献
J-GLOBAL ID:201502201748308593
整理番号:15A1085373
パルスレーザ堆積法により成長したVO2(B)薄膜の半導体-絶縁体転移
Semiconductor-insulator transition in VO2 (B) thin films grown by pulsed laser deposition
著者 (4件):
RUA Armando
(Dep. of Physics, Univ. of Puerto Rico, Mayagueez, Puerto Rico 00681-9000, USA)
,
DIAZ Ramon D.
(Dep. of Physics, Univ. of Puerto Rico, Mayagueez, Puerto Rico 00681-9000, USA)
,
LYSENKO Sergiy
(Dep. of Physics, Univ. of Puerto Rico, Mayagueez, Puerto Rico 00681-9000, USA)
,
FERNANDEZ Felix E.
(Dep. of Physics, Univ. of Puerto Rico, Mayagueez, Puerto Rico 00681-9000, USA)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
118
号:
12
ページ:
125308-125308-10
発行年:
2015年09月28日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)