文献
J-GLOBAL ID:201502202064022239
整理番号:15A0984232
完全空乏シリコンオン絶縁体MOSFET内の磁気抵抗の高分解能移動度スペクトル解析
High-resolution mobility spectrum analysis of magnetoresistance in fully-depleted silicon-on-insulator MOSFETs
著者 (6件):
UMANA-MEMBRENO G.A.
(Univ. Western Australia, WA, AUS)
,
CHANG S.-J.
(Yale Univ., CT, USA)
,
BAWEDIN M.
(IMEP-LAHC, Grenoble, FRA)
,
ANTOSZEWSKI J.
(Univ. Western Australia, WA, AUS)
,
CRISTOLOVEANU S.
(IMEP-LAHC, Grenoble, FRA)
,
FARAONE L.
(Univ. Western Australia, WA, AUS)
資料名:
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻:
113
ページ:
109-115
発行年:
2015年11月
JST資料番号:
H0225A
ISSN:
0038-1101
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)