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文献
J-GLOBAL ID：201502202067271701
整理番号：15A0907708
ゲート電界がトンネリング方向と一致するAlGaSb/InAs TFETにおける量子輸送
Quantum Transport in AlGaSb/InAs TFETs With Gate Field In-Line With Tunneling Direction
JIANG Zhengping
(Purdue Univ., IN, USA)
,
LU Yeqing
(Univ. Notre Dame, IN, USA)
,
LU Yeqing
(Synopsys, Inc., CA, USA)
,
TAN Yaohua
(Purdue Univ., IN, USA)
,
HE Yu
(Purdue Univ., IN, USA)
,
POVOLOTSKYI Michael
(Purdue Univ., IN, USA)
,
KUBIS Tillmann
(Purdue Univ., IN, USA)
,
SEABAUGH Alan C.
(Univ. Notre Dame, IN, USA)
,
FAY Patrick
(Univ. Notre Dame, IN, USA)
,
KLIMECK Gerhard
(Purdue Univ., IN, USA)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 62 号： 8 ページ： 2445-2449 発行年： 2015年08月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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