文献
J-GLOBAL ID:201502202207237380
整理番号:15A1192147
内蔵型アクセス抵抗器を備えたTa2O5ベースの抵抗スイッチングメモリにおけるオーバシュート抑圧の直接証拠
Direct Evidence of the Overshoot Suppression in Ta2O5-Based Resistive Switching Memory With an Integrated Access Resistor
著者 (6件):
FAN Yang-Shun
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
ZHANG Leqi
(imec, Leuven, BEL)
,
CROTTI Davide
(imec, Leuven, BEL)
,
WITTERS Thomas
(imec, Leuven, BEL)
,
JURCZAK Malgorzata
(imec, Leuven, BEL)
,
GOVOREANU Bogdan
(imec, Leuven, BEL)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
36
号:
10
ページ:
1027-1029
発行年:
2015年10月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)